碳化硅中化学成分和杂质含量的分析

2022-03-24T11:03:04+00:00

LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素分析行业新闻

2018年11月18日 LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素 20181118 1引言碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定的操作步骤： 1、试样的制备：取有代表性的样品10g左右，置102℃的烘箱中，烘半小时，取出放入干燥器内冷却备用。 2、清洗烘干铂碳化硅化学成分分析百度文库2023年5月4日纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体结构分为六方或菱面体的 αSiC和立方体的βSiC（称立方碳化硅)。碳化硅百度百科

T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓度及分布的二

2019年10月10日本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及 2021年9月8日天然碳化硅称为碳硅石，首要赋存于金伯利岩及火山角闪岩中，但其量甚少，无挖掘价值。工业用碳化硅为人工碳化硅，SiC含量为95%～995%，常含少量的游离碳，以及Fe2O3、Si和SiO2等杂质。碳什么是碳化硅，碳化硅主要成分和用途知乎2014年12月5日标准号：GB/T 1484942014 中文标准名称：工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法英文标准名称：Methods 国家标准GB/T 1484942014

国家标准碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子

2019年11月20日本标准规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮等杂质含量的二次离子质谱测试方法。根据文献资料以及多年的试验经验得出，使用该方法测试的硼含量不小 2022年4月27日 1949年，伴随着新中国的诞生，中国科学院成立。作为国家在科学技术方面的最高学术机构和全国自然科学与高新技术的综合研究与发展中心，建院以来，中国 8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院5碳化硅的测定 51方法提要试样经氢氟酸一硝酸一硫酸处理使游离硅及二氧化硅生成挥发性的四氟化硅逸出；W28以下的微粉只用氢氟酸处理。用盐酸浸取使表面杂质溶解，测定碳化硅检测标准百度文库

碳化硅含量测定,标准分析测试百科网

2023年6月15日德国标准化学会，关于碳化硅含量测定,的标准 DIN 591 陶瓷材料的检验作为原材料的主要成份或次要成份的碳化硅的化学分析用氧化成份和粘合料测定原料中碳化硅含量 DIN 584 陶瓷材料的检验碳化硅的化学分析游离碳含量的直接测定2023年9月27日德国标准化学会，关于碳化硅中杂质的标准 DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率 DIN EN 15979:201104 陶瓷原材料和基础材料的检测直流电弧激励OES直接测定碳化硅碳化硅中杂质标准分析测试百科网2021年6月3日本标准做了如下编辑性修改: ——— 《》。将标准名称修改为普通磨料碳化硅化学分析方法 Ⅲ / — GBT3045 2017 本标准由中国机械工业联合会提出。 ( / ) 。本标准由全国磨料磨具标准化技术委员会 SACTC139归口 : 、、本标准起草单位郑州磨料磨具磨 GB╱T 30452017 普通磨料碳化硅化学分析方法pdf全文可读

硅渣知乎

2022年6月30日一种工业硅渣中单质硅含量的定量分析方法，具体步骤如下： (1)将工业硅渣破碎研磨成粒度为100300目的硅渣粉末，称量硅渣粉末质量m1；(2)在硅渣粉末中加入过量的盐酸进行酸浸以完全硅酸盐得到含硅酸的酸浸液和含单质硅和碳化硅的固体颗粒，含单质硅和碳化硅的固体颗粒真空干燥，称量含单质 2017年11月7日碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β碳化硅转变成α碳化硅，α碳化硅在2400℃依然安稳。碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等涨知识2020年12月7日碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以βSiC形式存在；反映温度高于1600℃时，βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成αSiC。该冶炼制得的SiC若不含有杂质，呈现无色透明晶体状碳化硅简介知乎

碳化硅标准分析测试百科网

2023年10月23日 DIN 510761:1991 陶瓷材料的检验作为原材料的主要成份或次要成份的碳化硅的化学分析用氧化成份和粘合料测定原料中碳化硅含量 DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属成分分析法主要是采用化学方法测定碳化硅中碳、硅等元素的含量。常用的方法有化学分析法、光谱分析法、气相色谱法、元素分析法等。其中，化学分析法是最常用的方法，通过化学反应使样品中的元素与化学试剂发生化学反应，然后利用化学计量学原理计算Байду номын сангаас元素的碳化硅的测定百度文库知乎，中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容平台，于 2011 年 1 月正式上线，以「让人们更好的分享知识、经验和见解，找到自己的解答」为品牌使命。知乎凭借认真、专业、友善的社区氛围、独特的产品机制以及结构化和易获得的优质内容，聚集了中文互联网科技、商业、影视你似乎来到了没有知识存在的荒原知乎

国家标准碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子

2019年11月20日 2、确定标准主要内容的依据 21范围的确定本标准规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮等杂质含量的二次离子质谱测试方法。根据文献资料以及多年的试验经验得出，使用该方法测试的硼含量不小于5×1013cm3、铝含量不小于5×1013cm3、氮含量不小于5×1015cm3。根据 2022年2月23日表4 碳化硅结晶相中的微量成分和颜色的关系 375 产品中的FSi 在中心电极的高温部位存在反应时生成的少量硅(表5)。如图9所示，接近炉子中心部位的1级品的硅含量多于2级品。作为耐火原料使用时，有时是不希望存在硅的。表5 YDK绿碳化硅的化学成分碳化硅的生产方法、性能、种类及行业应用微粉sic碳化硼 2020年7月4日碳化硅有黑、绿两个品种。冶炼绿碳化硅时要求硅质原料中SiO2的含量尽可能高，杂质含量尽可能低;而生产黑碳化硅时，硅质原料中的SiO2含量可以稍低些。表1为对硅质原料的成分要求。硅质原料的粒度也是很重要的，一般可采用6#~20#混合粒度砂。耐火原材料——碳化硅的合成工艺百家号

碳化硅及其在耐火材料中的应用知乎

2021年6月9日碳化硅主要有四大应用领域，即：磨料、耐火材料、功能陶瓷及冶金原料。（1）作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。（2）作为冶金脱氧剂和耐高温材料。（3）高纯度的单晶，可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。主要用途：用于 2022年10月31日碳化硅粉 (siliconcarbide，sic)由于具有高强度、高硬度、耐腐蚀、抗高温氧化性、低热膨胀系数等优越特性，常用于制成碳化硅陶瓷广泛应用于冶金、机械、石油、化工、微电子、航空航天、钢铁、汽车等领域。但由于碳化硅的强共价键性 (共价键成分碳化硅粉知乎2018年11月18日 1引言碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。LAICPMS法测定碳化硅器件中杂质元素分析行业新闻

碳化硅检测中化所第三方检测机构[材料实验室]

2021年11月26日碳化硅成分检测去哪里正规?中化所材料检测机构可提供碳化硅检测服务，715个工作日可出具认可的碳化硅检测报告，拥有正规的材料实验室，实验室仪器齐全，科研团队强大，高新技术企业，CMA资质认证机构，支持扫码查询真伪，支持全国上门取样、寄样检测服务。2019年8月15日主要存在于不起眼的小石头中，可变成单质就能让电子设备的体积越来越小，运算速率却大大提升；它把太阳能转化成电能，也铸成了半导体行业发展的里程碑。其晶体结构和金刚石相同。碳和硅都这么优秀了，可是怎么还出了一个碳化硅（SiC）？碳和硅都这么优秀了，这个碳化硅（SiC）又是怎么肥四？知乎2019年10月9日碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由半导体届“小红人”——碳化硅知乎

T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓度及分布的二

2019年10月10日出口碳化硅分析方法碳化硅含量的测定 23 术语及定义 GB/T 14264、GB/T 22461 界定的以及下列术语和定义适用本文件。 24 方法原理该部分内容对应《标准》的第 4 章内容，详细阐述了二次离子质谱仪检测半导体碳化硅材料中的痕量杂质铝、钒浓度 2020年4月27日耐火材料的化学分析通常指分析耐火制品和原料的各种氧化物含量和其它主要成分含量和灼烧量。通过化学成分分析，按所含成分的种类和数量，可以判断原料和制品的纯度，制品的化学特性，并借助有关相图大致估计制品的矿物组成和耐火性能，可以作为选取原料、检查和调整工艺过程、确定耐火材料的原料有什么？知乎2023年3月21日碳化硅是一种化合物，由碳和硅元素组成，化学式为SiC。它是一种耐高温、硬度高、抗腐蚀、耐磨损的陶瓷材料，也被广泛应用于电子器件和光学器件中。作为陶瓷材料高硬度：碳化硅具有碳化硅是什么材料？知乎

耐火原材料的主成分、杂质成分、添加成分以及烧失量

2020年7月4日在进行耐火材料的化学分析时，除主成分氧化物和副成分的含量外，通常还要测定其烧失量(Loss on ignition，缩写为LOI)，即将在105110℃烘干的原料在1000~1100℃灼烧启失去的重量百分比，原料烧失量的分析有其特殊意义，它表征原料加热分纯度和含量的区别与联系——最标准最全面的解释纯度只表明试样中某些杂质离子存在多少的情况，即试样纯度的高低程度。纯度高，说明杂质少，并不表示试样中主体所含的量也一定高。测定方法：测定纯度一般采用化学分析方法或仪器分析方法，先纯度和含量的区别与联系——最标准最全面的解释百度文库2022年2月10日抛光液检测标准（部分） 1、JC/T 21332012 半导体抛光液用硅溶胶中杂质元素含量的测定 —电感耦合等离子体原子发射光谱法 2、HB/Z 510522000 电化学抛光溶液分析方法电位滴定法测定三氧化二铬的含量 3、HB/Z 510532000 电化学抛光溶液分析方法电位滴定法测定抛光液检测项目及标准简介知乎

药审老师解读：原料药中杂质谱分析的原则、研究思路探讨

2020年4月15日原料药的杂质谱分析对应于CTD格式申报资料的模块“32S32杂质”。本文主要是根据笔者几年来的审评工作经验，结合案例对化学合成原料药的有机杂质谱分析的一般原则、研究思路进行初步的探讨，不涉及检查方法的研究及验证的内容。1有机杂质分析的一般2022年4月24日国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展李辰冉;谢志鹏;康国兴;安迪;魏红康;赵林分享摘要：碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能，被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域。然而，由国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线2023年4月24日碳化硅（SiC）是一种无机物，其工业制法是选用石英砂、石油焦等材料在电阻炉内炼制成块，进而再经过加工制成各种粒度的碳化硅粉。工业用途的碳化硅因为其含有杂质的种类和含量不同，呈现出浅黄、绿、蓝和黑色，高纯度的碳化硅是无色的。工业碳碳化硅的理化性质是什么？知乎

成分分析8种常见检测方法知乎

2022年8月5日以下介绍几种常见的材料成分分析方法： 1、化学分析法：利用物质化学反应为基础的分析方法，称为化学分析法。每种物质都有其独特的化学特性，我们可以利用物质间的化学反应并将其以一种适当的方式进行表征，用以指示反应的进程，从而得到材料中 2015年3月9日碳化硅纤维中碳与氧含量的分析系统标签：碳化硅纤维含量 nicaion sic siiicon VOI31，NOCHNESECERAMCSCETYApr（国防科技大学，陶瓷纤维及其复合材料重点实验室，长沙）要：利用FOurier变换红外光谱、原子吸收及元素分析等方法，对碳化硅纤维中的C，Si，的含量碳化硅纤维中碳与氧含量的分析豆丁网2021年1月25日拥有清洗设备20多年经验的华林科纳，对以下6中常见的清洗方法进行分析： 1湿法清洗湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IMEC清洗法、单晶片清洗等 2RCA 半导体清洗方法：湿法清洗，RCA清洗法，稀释化学法

黑碳化硅和绿碳化硅的工艺和区别知乎

2021年11月17日电阻炉输电过程中，除了形成碳化硅这一基本反应外，炉材中的各种杂质也发生了一系列化学和物理的变化，发生了位移。食盐也是如此。炉材在制造过程中减少，炉材表面变形下沉。反应形成的一氧化 2012年12月3日碳化硅具有高的抗热性和化学稳定性，它不溶于氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸，即使加热煮沸也不被侵蚀和溶解，其晶体内部的杂质含量很少。利用上述特性可以进行碳化硅表面杂质的测定。在生产中由于控制条件不同，可能有残存游离碳、二氧化硅及游离硅】。碳化硅的测定豆丁网2021年11月23日 2、碳化硅 (SiC)在不定形耐火材料中的应用在不定形耐火材料中，SiC既可以作为主成分制成SiC质浇注料，也可以作为添加成分来改善其它浇注料的性能，尤其是抗渣性和热震稳定性。本课题主要研碳化硅(SiC)在耐火材料中的应用知乎

碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹

2021年12月4日碳化硅的绝缘击穿场强是Si的10倍，因此与Si器件相比，能够以更高的杂质浓度和更薄的漂移层，制作耐受电压高达600V至数千V的功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要取决于该漂移层的阻抗，因此采用碳化硅可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。2020年10月14日 2020碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法编制说明pdf,国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》编制说明（征求意见稿）一、工作简况 1立项目的和意义碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场、高热导 2020碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法 2022年7月4日烧后制品体积密度为 302 gcm3，抗弯强度达到了580 MPa，比普通反应烧结碳化硅强度提高了一倍以上。结论 (1) 制备全细粉碳化硅陶瓷所用浆料的最佳搅拌时间为 4 h。添加石墨后浆料黏度降低，素坯体积密度增加，显气孔率减小，增加了全细粉碳化硅陶反应烧结制备碳化硅陶瓷及其性能研究知乎

晶体硅材料中杂质元素分析方法研究进展豆丁网

2016年3月26日由于晶体硅材料对杂质的引入非常敏感，杂质直接影响晶体硅产品的电阻率、导电类型等性质以及产品的质量等级。因此晶体硅材料中主要杂质含量的检测在太阳能开发和利用中显得尤为重要。以下主要综述晶体硅材料中碳、氧、硼、磷等杂质元素、基体金 2022年12月26日当样品中铝、钙等杂质含量高时，可以考虑为硅渣。 2 X射线衍射分析金属硅、碳化硅、硅铁、硅渣成分可通过物相分析，结合X射线元素分析进行准确判定。金属硅和碳化硅的主要物相是硅和碳化硅，硅铁主要物相是硅和硅铁，而硅渣物相一般由硅、碳化硅海关揭秘如何辨别不同的“硅”？商品碳化硅含量2019年8月5日鉴定和质控确证阈值参照ICH（Q3A）新原料药中的杂质（Q3A）和（Q3B）新制剂中的杂质（Q3B）指导原则（表1）。若制定的限度阈值高于表1 阈值，则需进行科学评估；若杂质的毒性很大，应制定更低阈值。表1 药品杂质和降解产物的报告、鉴定 9102 药品杂质分析指导原则

铸造用碳化硅的标准是什么？华拓冶金知乎

2020年2月21日铸造用一般都是二级碳化硅，SIC8890 。黑碳化硅含SiC约98%，有金属光泽，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等，主要用于磨铸铁和非金属材料。绿碳化硅含SiC约985%以上，自锐 2023年6月15日德国标准化学会，关于碳化硅含量测定,的标准 DIN 591 陶瓷材料的检验作为原材料的主要成份或次要成份的碳化硅的化学分析用氧化成份和粘合料测定原料中碳化硅含量 DIN 584 陶瓷材料的检验碳化硅的化学分析游离碳含量的直接测定碳化硅含量测定,标准分析测试百科网2023年9月27日德国标准化学会，关于碳化硅中杂质的标准 DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率 DIN EN 15979:201104 陶瓷原材料和基础材料的检测直流电弧激励OES直接测定碳化硅碳化硅中杂质标准分析测试百科网

GB╱T 30452017 普通磨料碳化硅化学分析方法pdf全文可读

2021年6月3日本标准做了如下编辑性修改: ——— 《》。将标准名称修改为普通磨料碳化硅化学分析方法 Ⅲ / — GBT3045 2017 本标准由中国机械工业联合会提出。 ( / ) 。本标准由全国磨料磨具标准化技术委员会 SACTC139归口 : 、、本标准起草单位郑州磨料磨具磨 2022年6月30日一种工业硅渣中单质硅含量的定量分析方法，具体步骤如下： (1)将工业硅渣破碎研磨成粒度为100300目的硅渣粉末，称量硅渣粉末质量m1；(2)在硅渣粉末中加入过量的盐酸进行酸浸以完全硅酸盐得到含硅酸的酸浸液和含单质硅和碳化硅的固体颗粒，含单质硅和碳化硅的固体颗粒真空干燥，称量含单质硅渣知乎2017年11月7日碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β碳化硅转变成α碳化硅，α碳化硅在2400℃依然安稳。碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等涨知识

碳化硅简介知乎

2020年12月7日碳化硅简介 SiC晶型有α和β两种形式，反映温度低于1600℃时，反应产物则以βSiC形式存在；反映温度高于1600℃时，βSiC逐渐转变成αSiC的各种多型体，反映温度2400℃时，则会完全转变成αSiC。该冶炼制得的SiC若不含有杂质，呈现无色透明晶体状 2023年10月23日 DIN 510761:1991 陶瓷材料的检验作为原材料的主要成份或次要成份的碳化硅的化学分析用氧化成份和粘合料测定原料中碳化硅含量 DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属碳化硅标准分析测试百科网成分分析法主要是采用化学方法测定碳化硅中碳、硅等元素的含量。常用的方法有化学分析法、光谱分析法、气相色谱法、元素分析法等。其中，化学分析法是最常用的方法，通过化学反应使样品中的元素与化学试剂发生化学反应，然后利用化学计量学原理计算Байду номын сангаас元素的碳化硅的测定百度文库

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